MITSUBISHI

Se tiene una amplia variedad de igbts de potencia, didos, transistores y modulos de potencia para diferentes aplicaciones. El módulo IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo necesario para el uso de inversores en muchos tipos de equipos industriales y ha impulsado la tendencia hacia altas corrientes y alto voltaje desde 1990.

La estructura del chip también evolucionó de una estructura plana a una estructura de compuerta de trinchera, y el CSTBT ™ (el IGBT único de Mitsubishi Electric que hace uso del efecto acumulativo del portador) ha permitido pérdidas bajas y un tamaño más pequeño para equipos industriales.

A partir de la quinta generación de IGBT, la línea incluye productos compuestos * 1 con un perfil delgado (tipo NX) además de la forma externa anterior (tipo estándar).

De la serie S (IGBT de sexta generación), se ha ofrecido adicionalmente la serie T / T1 (IGBT de séptima generación), con baja pérdida de potencia y menor tamaño.

Contactenos

USA Tel. 956-283-9909

This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Mexico Tel. y Whatsapp 55-53-51-3679

This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Europa Tel. 34-955-192-334

This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.